Китай готовится конкурировать с FinFET

7-11-2015, 14:45 Новости, Information technology (IT) » Китай готовится конкурировать с FinFET

Китайские производители микросхем игнорируют технологию FinFET, вместо этого разрабатывая процесс Fully Depleted Silicon-on-Insulator (FD-SOI), который также называется Ultra-Thin Body (UTB). По информации DigiTimes Research такой подход поведёт их по другому пути развития, отличному от Intel и TSMC. Технология UTB использует меньшее прямое и рабочее напряжение, а также обеспечивает лучшее энергосбережение. Кроме того, она требует меньших операционных затрат, чем FinFET. Надо отметить, что технологией заинтересована не только китайская HH Grace Semiconductor, но и Globalfoundries, Samsung и STMicroelectronics. Обобщённый доход в лагере UTB окажется меньшим, чем отмеченный TSMC, однако производители по технологии UTB обладают меньшими заказами на чипы со средней и низкой ценой, и не могут сравняться с объёмами продаж процесса FinFET, что ставит перед UTB отчётливые цели. Аналитики также отмечают, что поставщики чипов, выпускающие дорогие и высокопроизводительные чипы, хотят изготавливать свои процессоры на заводах с технологией FinFET.

Также читайте: