Intel: 3D NAND приведёт к появлению 10 ТБ SSD

29-11-2014, 20:45 Новости, Information technology (IT) » Intel: 3D NAND приведёт к появлению 10 ТБ SSD

В ходе интернет совещания с инвесторами, компания Intel рассказала о своих планах по флэш-памяти NAND. Гигант рынка полупроводников планирует выпустить первые SSD с памятью 3D NAND во второй половине 2015 года. Эти чипы станут результатом совместной работы с Micron. В них будут собраны 32 плоских слоя, что может обеспечить ёмкость одного MLC ядра в 256 Гб (32 ГБ), а с использованием технологии трёх бит на ячейку (TLC), объём чипа может вырасти до 384 Гб (48 ГБ). Память 3D NAND обещает совершить прорыв в вопросах стоимости и габаритов. В результате, SSD объёмом 1 ТБ будет иметь толщину всего 2 мм, а через пару лет, благодаря 3D NAND, твердотельные накопители вырастут в объёме до 10 ТБ. Для сравнения, 32-слойная V-NAND флэш-память от Samsung предлагает всего 86 Гб на ядро MLC и 128 Гб при TLC конфигурации. Таким образом, Intel с Micron становятся явными лидерами рынка твердотельной памяти. В ходе конференции, компания Intel показала презентацию с работающим прототипом новой флэш-памяти, так что все работы по её созданию действительно подходят к концу. О том, где Intel хочет использовать новые накопители, она пока не решила. Перспективными направлениями использования компания считает центры обработки данных, корпоративных клиентов и энтузиастов PC.

Также читайте: