Samsung начинает производство 512 ГБ чипов eUFS

7-12-2017, 20:45 Новости, Information technology (IT) » Samsung начинает производство 512 ГБ чипов eUFS

Почти два года назад Samsung приступила к выпуску 256 ГБ чипов Universal Flash Storage (UFS) 2.0 со скоростями чтения и записи 850 МБ/с и 260 МБ/с соответственно. Однако теперь фирма готовит 512 ГБ накопители с интерфейсом UFS. Компания сообщила, что выпускает эти накопители для «использования в мобильных устройствах следующего поколения». Вероятно, речь идёт о пока не анонсированных смартфонах Galaxy S9. В пресс-релизе Samsung ничего не говорится об использованной версии интерфейса, но сказано, что накопители достигнут скорости «последовательного чтения и записи равной 860 мегабайт в секунду и 255 МБ/с соответственно», что весьма близко к нынешним показателям UFS 2.0. Учитывая наличие 512 ГБ памяти в телефоне, людям вряд ли понадобится дополнительный накопитель в виде карты microSD. С другой стороны, встроенные полтерабайта очевидно поднимут стоимость конечного устройства, ведь даже нынешние Galaxy Note8 с 256 МБ встроенной памяти стоят 1000 долларов.

Также читайте: