Samsung готовит 28 нм память MRAM

24-10-2017, 06:45 Новости, Information technology (IT) » Samsung готовит 28 нм память MRAM

Компания Samsung в скором времени начнёт производство 28 нм магниторезистивной оперативной памяти, которая будет изготовлена по технологии кремний-на-изоляторе (FD-SOI). Объединив свои усилия с NXP компания Samsung завершила изготовление MRAM чипов. Данная память будет использована в автомобильной электронике, средствах мультимедиа и в электронике для дисплейных панелей. Компания Synopsys сообщила, что её платформа разработки полностью сертифицирована для использования в 28 нм техпроцессе FD-SOI предприятия Samsung Foundry. Компания отметила, что её средство разработки и связанные планы обработки совместимы с системой дизайна Synopsys Lynx Design System, включая описания, методологии проектирования и лучший опыт. Джехон Парк, старший вице-президент Samsung Foundry, заявил, что технология 28FD-SOI позволяет создавать память, работающую как на высоких, так и низких напряжениях, что делает её идеальной для применения в IoT и автомобильных системах. Также память обладает превосходной программной коррекцией ошибок, что делает её идеальным выбором для отраслей с высокими требованиями к надёжности.

Также читайте: