Gigabyte выпускает..

Компания Gigabyte объявила о выпуске новой компактной видеокарты GTX 970, которая получила номер..




Intel готовит Optane DC P4800X


14-02-2017, 17:45 Новости, Information technology (IT) » Intel готовит Optane DC P4800X


Intel готовит Optane DC P4800X
Компания Intel готовит модельный ряд принципиально новых твердотельных накопителей, основанных на памяти 3D XPoint. По мнению Intel эта технология заменит память NAND в ближайшие годы. Фирма создавала эту технологию в сотрудничестве с Micron Technology. Первый накопитель этой серии получит бренд Optane, при этом рыночной стратегией предусмотрены подбренды, которые предназначены для различных категорий пользователей (ЦОД, потребительские, промышленные и т.д.). Благодаря утечке данных мы можем узнать, что же представит собой одна из этих моделей — Optane DC P4800X. Один из первых SSD Optane получит странный размер — 375 ГБ. Накопитель создан на базе платы расширения PCI-Express 3.0 x4. Он обеспечивает скорость чтения на уровне 2400 МБ/с, а записи — 2000 МБ/с, что не сильно отличается от TLC NAND SSD, которые порой демонстрируют и большие скорости. Однако самыми важными параметрами являются задержки, производительность при случайном доступе и надёжность. Так, Optane DC P4800X 375 GB AIC SSD обеспечивает в 21 раз большую надёжность, по сравнению с промышленными SSD на базе MLC NAND. Рейтинг надёжности Optane составляет 30 перезаписей всей памяти в день (DWPD) и 12,3 ПБ (12 300 ТБ) общей перезаписи (TBW). Это поразительные величины для накопителя объёмом 375 ГБ. Скорости случайного чтения и записи также выше, чем у конкурирующих накопителей на памяти MLC. Так, Optane обеспечивает скорость в 550 000 IOPS при чтении и 500 000 IOPS при записи блоками по 4 КБ.







Также читайте: 

Похожие новости
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.