Western Digital анонсирует 64-слойную технологию 3D NAND
29-07-2016, 20:45 Новости, Information technology (IT) » Western Digital анонсирует 64-слойную технологию 3D NAND
Корпорация Western Digital объявила об успешном завершении разработки 3D NAND следующего поколения, BiCS3, которая включает 64 вертикальных слоя в стеке памяти. Опытное производство чипов должно начаться на заводе в Йоккаити, Япония, а первая продукция будет выпущена уже в этом году. Коммерческое производство компания планирует наладить в первой половине 2017 года. Исполнительный вице-президент по технологиям памяти Western Digital Сива Сиварам отметил: «BiCS3 будет использовать технологию 3 бит на ячейку, а также модернизации в высоком отношении производства полупроводников к обеспечению большей ёмкости, превосходной производительности надёжности при привлекательной цене. Вместе с BiCS2, нашим широко распространённым портфелем 3D NAND, мы увеличим нашу способность в предоставлении нашим розничным, мобильным и ЦОД клиентам полного спектра продукции».
Технология BiCS3 была разработана Western Digital совместно с партнёром Toshiba. Изначально стеки будут предлагать 256-гигабитную ёмкость, а позднее их ёмкость будет увеличена до половины терабита на единственном чипе.
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.