Gigabyte выпускает..

Компания Gigabyte объявила о выпуске новой компактной видеокарты GTX 970, которая получила номер..


» » Samsung продемонстрировала 10 нм FinFET SRAM

Samsung продемонстрировала 10 нм FinFET SRAM


15-02-2016, 06:45 Новости, Information technology (IT) » Samsung продемонстрировала 10 нм FinFET SRAM


Samsung продемонстрировала 10 нм FinFET SRAM
Южнокорейская компания Samsung продемонстрировала 128 Мб чипы SRAM, изготовленные по FinFET процессу с размером элементов 10 нм. Компания заявила, что представленные 10 нм чипы на 38% меньше, чем их аналоги, выпущенные по 14 нм технологии. По словам Тхаэджоона Сона, автора документации Samsung SRAM, главное, что должны знать конструкторы чипов, это то, что существует рост производительности при переходе на 10 нм. Однако конечное сопротивление этих чипов, по сравнению с 14 нм, не улучшилось. Отвечая на вопросы, он сообщил, что конечное сопротивления продолжит расти и при 7 нм технологии производства. Сон отметил: «Вы ожидаете, что новый процесс будет лучше во всём, но не в этом случае». Отмечается, что компания Samsung приступит к массовому производству чипов по 10 нм FinFET технологии к концу этого года.







Также читайте: 



Похожие новости
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.