IBM представила первый 7 нм FinFET чип

13-07-2015, 17:45 Новости, Information technology (IT) » IBM представила первый 7 нм FinFET чип

Компания IBM объявила о создании первого полнофункционального полупроводника, основанного на транзисторе, который был изготовлен по 7 нм технологическому процессу, через год после начала совместных с Samsung и GlobalFoundries исследований. В прошлом году IBM анонсировала запуск программы исследований стоимостью 3 миллиарда долларов США, которая должна была помочь разработать 7 нм и «более совершенный» процесс. «Вопрос не в том, сможем ли мы представить 7 нм технологию производству, а скорее, как, где и сколько это будет стоить», пояснял в своё время Джон Келли, старший вице-президент IBM Research. Сейчас в консорциум исследователей входят Государственный университет Нью-Йорка, Samsung и GlobalFoundries, которая недавно приобрела полупроводниковый бизнес IBM. Согласно отчёту, который опубликовала компания в New York Times, ей удалось успешно произвести прототипы чипов с 7 нм транзисторами FinFET, заменив кремний, который обычно используется при производстве полупроводников, на кремниево-германиевую смесь. Данный анонс прошёл на фоне слухов, согласно которым Intel столкнулась с очередными проблемами и теперь вынуждена отложить выпуск 10 нм процессоров Cannonlake, заменив его модифицированными 14 нм микросхемами.

Также читайте: